Réponses
au test N° 1
Visiteur N°
REPONSES A VOS CONNAISSANCES EN ELECTRONIQUE FONDAMENTALE
Créée le, 26/07/2001
Mise à jour le, 08/07/2019
Retour au site Contacter l'auteur
Réponses 1 Réponses 2 Réponses 3 Réponses 4 Réponses 5 Réponses 6
Réponses
au test N° 1
1 - Le dopage d'un semi-conducteur signifie l'introduction d'impuretés dans le réseau cristallin de ce dernier.
2 - On appelle donneurs, les atomes d'impureté des éléments pentavalents car ils cèdent chacun un électron au semi-conducteur.
- On appelle receveurs, les atomes d'impureté des éléments trivalents car ils acquièrent un électron du semi-conducteur.
3 - Un semi-conducteur de type N possède des charges libres négatives tandis que celui de type P détient des charges libres positives.
4 - L'effet HALL est caractérisé par une faible tension présente entre les deux faces latérales d'un conducteur (ou d'un semi-conducteur) quand celui-ci est parcouru par un courant et soumis à l'action d'un champ magnétique transversal (voir figures 6 et 7).
5 - La mobilité d'une charge est exprimée par la vitesse en centimètre par seconde (cm / s) dans un cube de semi-conducteur ayant 1 cm de côté et soumis à une tension de 1 volt sur deux faces opposées.
Réponses
au test N° 2
1 - La jonction P.N. est formée par l'union de deux pastilles différentes de semi-conducteurs de type P et de type N.
2 - La tension de seuil est de 0,6 à 0,7 V pour le silicium et de 0,2 à 0,3 V pour le germanium.
3 - La caractéristique tension-courant d'une diode représente les valeurs prises par ces deux paramètres au même instant dans chacun des deux sens étudiés.
4 - La diode ZENER est un composant dopé de telle sorte que l'on exploite de sa caractéristique inverse l'effet ZENER, utilisé pour la stabilisation de tension.
5 - On met en évidence l'effet capacitif d'une diode d'usage courant en la polarisant en inverse sans dépasser la tension Vmax de destruction du composant. La barrière de potentiel est privée des charges libres et se comporte comme un diélectrique pour les deux parties restantes du semi-conducteur (armatures).
Réponses
au test N° 3
1 - Un transistor est formé d'une pastille de semi-conducteur d'un type donné, placé entre deux pastilles de type opposé.
2 - Pour le fonctionnement correct d'un transistor, la jonction émetteur-base doit être polarisée en direct, tandis que la jonction collecteur-base doit être polarisée en inverse.
3 - La réponse d'un transistor aux hautes fréquences dépend du temps de transit des charges électriques dans la base.
4 - Le drift est l'accélération que les charges électriques acquièrent en passant dans la base grâce à la différence de potentiel créée par un dégradé d'impuretés.
5 - Le coefficient d'amplification en courant b est donné par la valeur du courant de collecteur IC diminué du courant résiduel ICEO, le tout divisé par la valeur du courant de base IB. En pratique, on néglige le courant ICEO très petit devant IC.
6 - Le montage émetteur commun, comparativement à celui à base commune, offre l'avantage d'un gain élevé en courant et en puissance ; il présente cependant l'inconvénient d'un courant résiduel plus important.
7 - Le symbole graphique d'un transistor PNP se distingue de celui d'un transistor NPN par le sens de la flèche placée sur l'électrode de l'émetteur ; cette flèche est tournée vers l'intérieur pour un transistor PNP et vers l'extérieur pour un transistor NPN.
Réponses
au test N° 4
1 - Le point de fonctionnement d'un transistor est un point déterminé situé sur une caractéristique de ce transistor. Ce point est défini par trois grandeurs électriques.
2 - La puissance dissipée par un transistor s'obtient en faisant le produit de la tension VCE par le courant de collecteur IC.
3 - La résistance thermique d'un transistor est un coefficient indiquant l'élévation de température de ce transistor lorsqu'il dissipe une puissance d'un watt.
4 - Lorsque la température ambiante augmente, la puissance maximale de dissipation du transistor diminue.
5 - La valeur de ICBO double lorsque la température augmente de 10° C (transistor au germanium).
6 - Il s'agit du circuit à émetteur commun.
7 - L'ensemble des caractéristiques de sortie est décalé vers le haut.
8 - Le coefficient de stabilité S est le rapport entre l'augmentation du courant IC et l'augmentation du courant ICBO :
S = (
IC)
/ (ICBO)
9 - La stabilisation répond à deux problèmes ; tout d'abord elle permet l'interchangeabilité du transistor, ensuite, elle atténue les effets de la température sur le fonctionnement du transistor (constance du courant IC et de la puissance dissipée).
10 - Les procédés de stabilisation les plus courants sont :
stabilisation par contre-réaction du collecteur,
stabilisation par contre-réaction de l'émetteur,
stabilisation par thermistance CTN placée dans le pont de base,
stabilisation par diode placée dans le pont de base.
Réponses
au test N° 5
1 - Les résistances d'entrée et de sortie en continu sont définies par des valeurs statiques (courant continu et tension continue) tandis que les résistances d'entrée et de sortie en alternatif sont définies par des valeurs dynamiques (courant alternatif et tension alternative).
2 - Les paramètres hybrides représentent la résistance d'entrée (h11), la conductance de sortie (h22), le coefficient d'amplification en courant (h21) et le coefficient de réaction en tension (h12).
3 - Les unités de mesure utilisées pour définir les paramètres hybrides sont les suivantes : l'ohm ou le kW pour h11, le mA / V (ou µA/V) pour h22 ; les paramètres h12 et h21 sont des grandeurs sans dimensions.
4 - Les paramètres hybrides d'un transistor dépendent essentiellement du point de fonctionnement et de la température de ses jonctions ; ils correspondent à un type de montage fondamental du transistor déterminé.
5 - Le premier avantage des paramètres r est qu'ils permettent l'obtention de formules simples lors du calcul des caractéristiques d'amplificateurs et d'autres circuits à transistors ; le second avantage est que ces paramètres gardent la même valeur en base commune, en émetteur commun ou en collecteur commun.
6 - Il faut six paramètres pour définir le comportement d'un transistor en hautes fréquences ; quatre sont les paramètres hybrides et deux sont les valeurs des capacités d'entrée et de sortie.
Réponses
au test N° 6
1 - Un thyristor est un composant unidirectionnel et un triac un composant bidirectionnel.
2 - La gâchette permet d'amorcer le thyristor mais ne permet pas de le remettre en état de non-conduction.
3 - La "tension de retournement" désigne la valeur de la tension pour laquelle, un thyristor, un triac, un diac, s'amorcent quelque soit par ailleurs la tension sur l'électrode de commande (si elle existe).
4 - Pour un triac, le sens préférentiel d'amorçage est A2 + VG + ou A2 - VG -.
5 - Sur un diac, la tension a l'influence suivante : lorsque la tension croît, il arrive un moment où la résistance dynamique du diac s'inverse et tombe à une valeur faible.
6 - Une diode SHOCKLEY est une diode particulière du type PNPN, présentant une courbe caractéristique de même allure que celle d'un thyristor.
7 - Un quadrac est un diac et un triac dans le même boîtier.
8 - Le commutateur SUS est un composant UNIDIRECTIONNEL et le commutateur SBS est un composant BIDIRECTIONNEL.
Retour au site Contacter l'auteur
Daniel
